ASML新一代EUV光刻机首现身：这样的物理极限快来

日前，ASML产品营销总监Mike Lercel向媒体分享了EUV(极紫外)光刻机的最新进展。

ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE3400B和3400C，它们的数值孔径(NA)均为0.33，日期更近的3400C目前的可用性已经达到90%左右。

预计今年年底前，NXE3600D将开始交付，30mJ/cm2下的晶圆通量是160片，比3400C提高了18%，机器匹配套准精度也增加了，它预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。

在3600D之后，ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE5000和EXE:5200，其中从EXE5000开始，数值孔径提高到0.55，但要等待2022年晚些时候发货了。

由于光刻机从发货到配置/培训完成需要长达两年时间，0.55NA的大规模应用要等到2025~2026年了，服务的应该是台积电2nm甚至1nm等工艺。

0.55NA比0.33NA有着太多优势，包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。

，硅片、曝光洁净室逼近物理极限，也是不容小觑的挑战。现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱，而1nm时代光刻机要比3nm还大一倍左右，可想而知了。